itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHP11N80E-GE3
Gyártási szám | SIHP11N80E-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHP11N80E-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | E |
SIHP11N80E-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 440 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1670pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 179W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220AB |
Csomag / eset | TO-220-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHP11N80E-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHP11N80E-GE3-FT |
SI3475DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3477DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3481DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3481DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3483DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3483DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3493BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3493DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3493DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3495DV-T1-E3
Vishay Siliconix
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel