itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI3495DV-T1-E3
Gyártási szám | SI3495DV-T1-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI3495DV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI3495DV-T1-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 750mV @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±5V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.1W (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 6-TSOP |
Csomag / eset | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3495DV-T1-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI3495DV-T1-E3-FT |
SI3440DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI3442BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3443BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3458BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3458BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3493BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3417DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3424CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3443DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix