itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI3477DV-T1-GE3
Gyártási szám | SI3477DV-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI3477DV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI3477DV-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5 mOhm @ 9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±10V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 6V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 2W (Ta), 4.2W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 6-TSOP |
Csomag / eset | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3477DV-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI3477DV-T1-GE3-FT |
SI3469DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3460BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3410DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3459BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ3456BEV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI3437DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3421DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3433CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3440DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay Siliconix
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel