itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI3483DV-T1-GE3
Gyártási szám | SI3483DV-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI3483DV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI3483DV-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 4.7A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 6.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.14W (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 6-TSOP |
Csomag / eset | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3483DV-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI3483DV-T1-GE3-FT |
SQ3456BEV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI3437DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3421DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3433CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3440DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI3442BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3443BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3458BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3458BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel