itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single, Pre-Bias / DTA114YMFHAT2L
Gyártási szám | DTA114YMFHAT2L |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-DTA114YMFHAT2L |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101 |
DTA114YMFHAT2L Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | PNP - Pre-Biased |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 100mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | - |
Ellenállás - alap (R1) | 10 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | - |
Frekvencia - Átmenet | 250MHz |
Teljesítmény - Max | 150mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | SOT-723 |
Beszállítói eszközcsomag | VMT3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA114YMFHAT2L Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | DTA114YMFHAT2L-FT |
RN1112(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1114(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1116(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1117(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1118(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2103(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2106(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2117(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
EP1C6T144C8
Intel
EPF6016ATC144-1N
Intel
LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-3BG225I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FG256
Microsemi Corporation
APA300-PQ208A
Microsemi Corporation
EP4CGX150CF23I7
Intel
EP2AGZ350HF40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1930E
Xilinx Inc.
EPF8820AQC208-3
Intel