itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single, Pre-Bias / RN2117(T5L,F,T)
Gyártási szám | RN2117(T5L,F,T) |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-RN2117(T5L,F,T) |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
RN2117(T5L,F,T) Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
Tranzisztor típus | PNP - Pre-Biased |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 100mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 50V |
Ellenállás - alap (R1) | 10 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 500nA |
Frekvencia - Átmenet | 200MHz |
Teljesítmény - Max | 100mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | SC-75, SOT-416 |
Beszállítói eszközcsomag | SSM |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2117(T5L,F,T) Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | RN2117(T5L,F,T)-FT |
BCR196WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR196WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR198WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR198WH6327XTSA1
Infineon Technologies
RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1102MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1110MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1117MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2VP2-6FG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-BGG272I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FFG484
Microsemi Corporation
P1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF40C3
Intel
XC5VLX110T-1FFG1738CES
Xilinx Inc.
XC7VX690T-3FFG1930E
Xilinx Inc.
A54SX32A-BG329M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508I4
Intel