itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single, Pre-Bias / RN2108(T5L,F,T)
Gyártási szám | RN2108(T5L,F,T) |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-RN2108(T5L,F,T) |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
RN2108(T5L,F,T) Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | PNP - Pre-Biased |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 100mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 50V |
Ellenállás - alap (R1) | 22 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 500nA |
Frekvencia - Átmenet | 200MHz |
Teljesítmény - Max | 100mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | SC-75, SOT-416 |
Beszállítói eszközcsomag | SSM |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2108(T5L,F,T) Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | RN2108(T5L,F,T)-FT |
BCR192WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR196WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR196WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR198WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR198WH6327XTSA1
Infineon Technologies
RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1102MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1110MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQG208
Microsemi Corporation
LAE5UM-45F-6BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1N
Intel
EP4S100G3F45I3
Intel
5SGXEB6R2F43C2N
Intel
XC6SLX9-L1CSG225C
Xilinx Inc.
EPF8282ALC84-4
Intel
5SGXEA3H3F35I4N
Intel