itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single, Pre-Bias / RN2106(T5L,F,T)
Gyártási szám | RN2106(T5L,F,T) |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-RN2106(T5L,F,T) |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
RN2106(T5L,F,T) Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | PNP - Pre-Biased |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 100mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 50V |
Ellenállás - alap (R1) | 4.7 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 500nA |
Frekvencia - Átmenet | 200MHz |
Teljesítmény - Max | 100mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | SC-75, SOT-416 |
Beszállítói eszközcsomag | SSM |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2106(T5L,F,T) Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | RN2106(T5L,F,T)-FT |
BCR192WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR192WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR196WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR196WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR198WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR198WH6327XTSA1
Infineon Technologies
RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1102MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
XC7A12T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256M
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C4N
Intel
EP4SE820H40C3N
Intel
XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.
A40MX02-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
10AX016E4F29I3SG
Intel