itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / BSC123N10LSGATMA1
Gyártási szám | BSC123N10LSGATMA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-BSC123N10LSGATMA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
BSC123N10LSGATMA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 10.6A (Ta), 71A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 72µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 4900pF @ 50V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 114W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TDSON-8 |
Csomag / eset | 8-PowerTDFN |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC123N10LSGATMA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | BSC123N10LSGATMA1-FT |
BSC016N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC016N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC018N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC018NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSC018NE2LSIATMA1
Infineon Technologies
BSC019N02KSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC019N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSC019N04NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC020N025S G
Infineon Technologies
BSC022N03S
Infineon Technologies
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel