itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / BSC018NE2LSATMA1
Gyártási szám | BSC018NE2LSATMA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-BSC018NE2LSATMA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
BSC018NE2LSATMA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 29A (Ta), 100A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 12V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TDSON-8 |
Csomag / eset | 8-PowerTDFN |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC018NE2LSATMA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | BSC018NE2LSATMA1-FT |
SI4420DYTR
Infineon Technologies
SI4435DYPBF
Infineon Technologies
SI4435DYTR
Infineon Technologies
IRFH5300TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5302DTR2PBF
Infineon Technologies
IRFH7004TR2PBF
Infineon Technologies
BSC027N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC123N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC030P03NS3GAUMA1
Infineon Technologies
BSC020N03LSGATMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel