itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / BSC018N04LSGATMA1
Gyártási szám | BSC018N04LSGATMA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-BSC018N04LSGATMA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
BSC018N04LSGATMA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta), 100A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 85µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 12000pF @ 20V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TDSON-8 |
Csomag / eset | 8-PowerTDFN |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC018N04LSGATMA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | BSC018N04LSGATMA1-FT |
SI4420DYPBF
Infineon Technologies
SI4420DYTR
Infineon Technologies
SI4435DYPBF
Infineon Technologies
SI4435DYTR
Infineon Technologies
IRFH5300TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5302DTR2PBF
Infineon Technologies
IRFH7004TR2PBF
Infineon Technologies
BSC027N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC123N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC030P03NS3GAUMA1
Infineon Technologies
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel