itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / BSC018NE2LSIATMA1
Gyártási szám | BSC018NE2LSIATMA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-BSC018NE2LSIATMA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
BSC018NE2LSIATMA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 29A (Ta), 100A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 12V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TDSON-8 |
Csomag / eset | 8-PowerTDFN |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC018NE2LSIATMA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | BSC018NE2LSIATMA1-FT |
SI4435DYPBF
Infineon Technologies
SI4435DYTR
Infineon Technologies
IRFH5300TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5302DTR2PBF
Infineon Technologies
IRFH7004TR2PBF
Infineon Technologies
BSC027N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC123N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC030P03NS3GAUMA1
Infineon Technologies
BSC020N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel