itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / BSC119N03S G
Gyártási szám | BSC119N03S G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-BSC119N03S G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
BSC119N03S G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 11.9A (Ta), 30A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.9 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 2.8W (Ta), 43W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TDSON-8 |
Csomag / eset | 8-PowerTDFN |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC119N03S G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | BSC119N03S G-FT |
BSC015NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
BSC016N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC016N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC016N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC018N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC018NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSC018NE2LSIATMA1
Infineon Technologies
BSC019N02KSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC019N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSC019N04NSGATMA1
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel