itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / TK9A60D(STA4,Q,M)
Gyártási szám | TK9A60D(STA4,Q,M) |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-TK9A60D(STA4,Q,M) |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | π-MOSVII |
TK9A60D(STA4,Q,M) Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 830 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 45W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220SIS |
Csomag / eset | TO-220-3 Full Pack |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK9A60D(STA4,Q,M) Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | TK9A60D(STA4,Q,M)-FT |
TK40E10N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK72E08N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK30E06N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK58E06N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14E65W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16E60W5,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK17E65W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel