itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / TK16E60W,S1VX
Gyártási szám | TK16E60W,S1VX |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-TK16E60W,S1VX |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | DTMOSIV |
TK16E60W,S1VX Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 15.8A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 790µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 300V |
FET funkció | Super Junction |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 130W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220 |
Csomag / eset | TO-220-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK16E60W,S1VX Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | TK16E60W,S1VX-FT |
SQJ402EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ486EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SIHJ10N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHJ240N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQJ415EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ431AEP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ481EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ872EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ886EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA37EP-T1_GE3
Vishay Siliconix