itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / TK12E60W,S1VX
Gyártási szám | TK12E60W,S1VX |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-TK12E60W,S1VX |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | DTMOSIV |
TK12E60W,S1VX Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 5.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 600µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 300V |
FET funkció | Super Junction |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 110W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220 |
Csomag / eset | TO-220-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK12E60W,S1VX Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | TK12E60W,S1VX-FT |
SQJ431AEP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ481EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ872EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ886EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA37EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA76EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQM40016EM_GE3
Vishay Siliconix
SQM40022EM_GE3
Vishay Siliconix
SQM50028EM_GE3
Vishay Siliconix
3N163
Vishay Siliconix
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel