itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SUD50N02-09P-GE3
Gyártási szám | SUD50N02-09P-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SUD50N02-09P-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SUD50N02-09P-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 39.5W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | TO-252 |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD50N02-09P-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SUD50N02-09P-GE3-FT |
SIHP11N80E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP12N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP14N50D-E3
Vishay Siliconix
SIHP10N40D-E3
Vishay Siliconix
SIHP10N40D-GE3
Vishay Siliconix
SIHP14N50D-GE3
Vishay Siliconix
SIHFB11N50A-E3
Vishay Siliconix
SIHFB20N50K-E3
Vishay Siliconix
SIHP050N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP100N60E-GE3
Vishay Siliconix
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel