itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHP14N50D-E3
Gyártási szám | SIHP14N50D-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHP14N50D-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
SIHP14N50D-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1144pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 208W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220AB |
Csomag / eset | TO-220-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHP14N50D-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHP14N50D-E3-FT |
SI3481DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3481DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3483DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3483DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3493BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3493DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3493DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3495DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3495DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3499DV-T1-E3
Vishay Siliconix
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel