itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SUD35N05-26L-E3
Gyártási szám | SUD35N05-26L-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SUD35N05-26L-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SUD35N05-26L-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 885pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 7.5W (Ta), 50W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | TO-252, (D-Pak) |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD35N05-26L-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SUD35N05-26L-E3-FT |
SI8808DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8439DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8469DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8487DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8489EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8812DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8816EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8802DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8810EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8817DB-T2-E1
Vishay Siliconix
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel