itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI8489EDB-T2-E1
Gyártási szám | SI8489EDB-T2-E1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI8489EDB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI8489EDB-T2-E1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | - |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 765pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 4-Microfoot |
Csomag / eset | 4-UFBGA |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8489EDB-T2-E1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI8489EDB-T2-E1-FT |
SIDR402DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR610DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR622DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR638DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQS407ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS411ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS415ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS460ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS482ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ457EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel