itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI8817DB-T2-E1
Gyártási szám | SI8817DB-T2-E1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI8817DB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI8817DB-T2-E1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | - |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 76 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 615pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 500mW (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 4-Microfoot |
Csomag / eset | 4-XFBGA |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8817DB-T2-E1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI8817DB-T2-E1-FT |
SQS411ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS415ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS460ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS482ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ457EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ431EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA86EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA82EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ476EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ459EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel