itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SISS06DN-T1-GE3
Gyártási szám | SISS06DN-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SISS06DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® Gen IV |
SISS06DN-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 47.6A (Ta), 172.6A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.38 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 10V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 3660pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® 1212-8S |
Csomag / eset | PowerPAK® 1212-8S |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISS06DN-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SISS06DN-T1-GE3-FT |
SIHP12N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP15N50E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP15N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHP15N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP180N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP20N50E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP21N80AE-GE3
Vishay Siliconix
SIHP240N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP28N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP28N65EF-GE3
Vishay Siliconix
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel