itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHP15N65E-GE3
Gyártási szám | SIHP15N65E-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHP15N65E-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
SIHP15N65E-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 34W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220AB |
Csomag / eset | TO-220-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHP15N65E-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHP15N65E-GE3-FT |
SI3812DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3853DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3853DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3867DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3867DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3879DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3879DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ3410EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ3418EEV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ3419AEEV-T1_GE3
Vishay Siliconix
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel