itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHP21N80AE-GE3
Gyártási szám | SIHP21N80AE-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHP21N80AE-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | E |
SIHP21N80AE-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 17.4A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1388pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 32W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220AB |
Csomag / eset | TO-220-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHP21N80AE-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHP21N80AE-GE3-FT |
SI3867DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3867DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3879DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3879DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ3410EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ3418EEV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ3419AEEV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ3419EEV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ3419EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ3426EEV-T1-GE3
Vishay Siliconix
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel