itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SISS04DN-T1-GE3
Gyártási szám | SISS04DN-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SISS04DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® Gen IV |
SISS04DN-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 50.5A (Ta), 80A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
Vgs (Max) | +16V, -12V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 4460pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® 1212-8S |
Csomag / eset | PowerPAK® 1212-8S |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISS04DN-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SISS04DN-T1-GE3-FT |
SIHP12N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHP12N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP15N50E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP15N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHP15N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP180N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP20N50E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP21N80AE-GE3
Vishay Siliconix
SIHP240N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP28N65E-GE3
Vishay Siliconix
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel