itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIRA52DP-T1-GE3
Gyártási szám | SIRA52DP-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIRA52DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIRA52DP-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 7150pF @ 20V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 48W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SO-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® SO-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIRA52DP-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIRA52DP-T1-GE3-FT |
SI7802DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7802DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7820DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SIS330DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS334DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS407ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS414DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS426DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS430DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS436DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel