itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIS330DN-T1-GE3
Gyártási szám | SIS330DN-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIS330DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIS330DN-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® 1212-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® 1212-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIS330DN-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIS330DN-T1-GE3-FT |
SIS888DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA04DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA26DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ7415AEN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS420EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI7302DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7703EDN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7114DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA40DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7326DN-T1-E3
Vishay Siliconix
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel