itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIS430DN-T1-GE3
Gyártási szám | SIS430DN-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIS430DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIS430DN-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 12.5V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® 1212-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® 1212-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIS430DN-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIS430DN-T1-GE3-FT |
SI7302DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7703EDN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7114DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA40DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7326DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7326DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7421DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7423DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7423DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7804DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel