itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIRA26DP-T1-RE3
Gyártási szám | SIRA26DP-T1-RE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIRA26DP-T1-RE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® Gen IV |
SIRA26DP-T1-RE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.65 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (Max) | +16V, -12V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2247pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 43.1W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SO-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® SO-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIRA26DP-T1-RE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIRA26DP-T1-RE3-FT |
SI7720DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7726DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7802DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7802DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7820DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SIS330DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS334DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS407ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS414DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS426DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel