itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI7726DN-T1-GE3
Gyártási szám | SI7726DN-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI7726DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | SkyFET®, TrenchFET® |
SI7726DN-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1765pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® 1212-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® 1212-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7726DN-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI7726DN-T1-GE3-FT |
SI7818DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS435DNT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS456DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS468DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS888DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA04DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA26DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ7415AEN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS420EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI7302DN-T1-E3
Vishay Siliconix
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel