itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHW47N60E-GE3
Gyártási szám | SIHW47N60E-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHW47N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
SIHW47N60E-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 9620pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 357W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-247AD |
Csomag / eset | TO-3P-3 Full Pack |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHW47N60E-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHW47N60E-GE3-FT |
SUD19N20-90-T4-E3
Vishay Siliconix
SUD23N06-31-GE3
Vishay Siliconix
SUD23N06-31-T4-GE3
Vishay Siliconix
SUD23N06-31L-E3
Vishay Siliconix
SUD23N06-31L-T4-E3
Vishay Siliconix
SUD25N04-25-E3
Vishay Siliconix
SUD25N04-25-T4-E3
Vishay Siliconix
SUD35N05-26L-E3
Vishay Siliconix
SUD40N02-08-E3
Vishay Siliconix
SUD40N02-3M3P-E3
Vishay Siliconix
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel