itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SUD23N06-31-T4-GE3
Gyártási szám | SUD23N06-31-T4-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SUD23N06-31-T4-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SUD23N06-31-T4-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 21.4A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | TO-252, (D-Pak) |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD23N06-31-T4-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SUD23N06-31-T4-GE3-FT |
SI8441DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8417DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8447DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8451DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8499DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8808DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8439DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8469DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8487DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8489EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel