itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIE816DF-T1-GE3
Gyártási szám | SIE816DF-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIE816DF-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIE816DF-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.4 mOhm @ 19.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 30V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 10-PolarPAK® (L) |
Csomag / eset | 10-PolarPAK® (L) |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIE816DF-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIE816DF-T1-GE3-FT |
SIHS20N50C-E3
Vishay Siliconix
SIHS90N65E-E3
Vishay Siliconix
SIHW61N65EF-GE3
Vishay Siliconix
SQJ858AEP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI5415AEDU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA461DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA427DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA400EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA441DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA413DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel