itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHS90N65E-E3
Gyártási szám | SIHS90N65E-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHS90N65E-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
SIHS90N65E-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 87A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 591nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 11826pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 625W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | SUPER-247™ (TO-274AA) |
Csomag / eset | TO-247-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHS90N65E-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHS90N65E-E3-FT |
SI4833ADY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4833ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4833BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4835BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4836DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4836DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4838BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4840DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4840DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4845DY-T1-E3
Vishay Siliconix
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel