itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIA427DJ-T1-GE3
Gyártási szám | SIA427DJ-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIA427DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIA427DJ-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±5V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 4V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Csomag / eset | PowerPAK® SC-70-6 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA427DJ-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIA427DJ-T1-GE3-FT |
SI4836DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4838BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4840DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4840DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4845DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4848DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4848DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4850BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4850EY-T1
Vishay Siliconix
SI4858DY-T1-E3
Vishay Siliconix