itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI7112DN-T1-GE3
Gyártási szám | SI7112DN-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI7112DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI7112DN-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 11.3A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 17.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2610pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.5W (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® 1212-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® 1212-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7112DN-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI7112DN-T1-GE3-FT |
SI7106DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7117DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SISA18ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7414DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7716ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7119DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7818DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7820DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS407DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS26DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation