itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI7106DN-T1-E3
Gyártási szám | SI7106DN-T1-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI7106DN-T1-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI7106DN-T1-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.5W (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® 1212-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® 1212-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7106DN-T1-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI7106DN-T1-E3-FT |
SIHB065N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHB15N50E-GE3
Vishay Siliconix
SIHB15N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHB20N50E-GE3
Vishay Siliconix
SIHB21N60EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHB22N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHB22N60ET1-GE3
Vishay Siliconix
SIHB22N60ET5-GE3
Vishay Siliconix
SIHB22N60S-GE3
Vishay Siliconix
SIHB23N60E-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel