itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SISS26DN-T1-GE3
Gyártási szám | SISS26DN-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SISS26DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® Gen IV |
SISS26DN-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1710pF @ 30V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 57W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Csomag / eset | PowerPAK® 1212-8S |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISS26DN-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SISS26DN-T1-GE3-FT |
SIHB23N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHB24N65E-E3
Vishay Siliconix
SIHB24N65ET1-GE3
Vishay Siliconix
SIHB24N65ET5-GE3
Vishay Siliconix
SIHB30N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHB30N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHB33N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHB33N60ET1-GE3
Vishay Siliconix
SIHB33N60ET5-GE3
Vishay Siliconix
IRLU014PBF
Vishay Siliconix
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel