itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI3421DV-T1-GE3
Gyártási szám | SI3421DV-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI3421DV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI3421DV-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.2 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2580pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 2W (Ta), 4.2W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 6-TSOP |
Csomag / eset | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3421DV-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI3421DV-T1-GE3-FT |
SI1032X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1046X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1012R-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1013R-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1032R-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1021R-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1012CR-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1031R-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1022R-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1031X-T1-GE3
Vishay Siliconix
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel