itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI3442BDV-T1-E3
Gyártási szám | SI3442BDV-T1-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI3442BDV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI3442BDV-T1-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 295pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 860mW (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 6-TSOP |
Csomag / eset | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3442BDV-T1-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI3442BDV-T1-E3-FT |
SI1032R-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1021R-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1012CR-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1031R-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1022R-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1031X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1012R-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1013R-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1021R-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1022R-T1-E3
Vishay Siliconix
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel