itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI3459BDV-T1-GE3
Gyártási szám | SI3459BDV-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI3459BDV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI3459BDV-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 2.9A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 216 mOhm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 30V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 6-TSOP |
Csomag / eset | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3459BDV-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI3459BDV-T1-GE3-FT |
SI1073X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1078X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1013X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1032X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1046X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1012R-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1013R-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1032R-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1021R-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1012CR-T1-GE3
Vishay Siliconix
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel