itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI1013R-T1-E3
Gyártási szám | SI1013R-T1-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI1013R-T1-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI1013R-T1-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 350mA (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±6V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 150mW (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | SC-75A |
Csomag / eset | SC-75A |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1013R-T1-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI1013R-T1-E3-FT |
SIB406EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB408DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB410DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB411DK-T1-E3
Vishay Siliconix
SIB411DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB412DK-T1-E3
Vishay Siliconix
SIB412DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB413DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB414DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB415DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel