itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIB411DK-T1-GE3
Gyártási szám | SIB411DK-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIB411DK-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIB411DK-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SC-75-6L Single |
Csomag / eset | PowerPAK® SC-75-6L |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIB411DK-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIB411DK-T1-GE3-FT |
SIA411DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA411DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA416DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA417DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA418DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA419DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA425EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA426DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA429DJT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA430DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel