itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIB413DK-T1-GE3
Gyártási szám | SIB413DK-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIB413DK-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIB413DK-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 7.63nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 357pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SC-75-6L Single |
Csomag / eset | PowerPAK® SC-75-6L |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIB413DK-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIB413DK-T1-GE3-FT |
SIA417DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA418DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA419DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA425EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA426DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA429DJT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA430DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA433EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA437DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA439EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel