itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single, Pre-Bias / DTA023JMT2L
Gyártási szám | DTA023JMT2L |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-DTA023JMT2L |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
DTA023JMT2L Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | PNP - Pre-Biased |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 100mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 50V |
Ellenállás - alap (R1) | 2.2 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | - |
Frekvencia - Átmenet | 250MHz |
Teljesítmény - Max | 150mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | SOT-723 |
Beszállítói eszközcsomag | VMT3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA023JMT2L Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | DTA023JMT2L-FT |
RN1110(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1112(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1114(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1116(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1117(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1118(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2103(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2104(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2106(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
AGL400V5-FG256I
Microsemi Corporation
M2GL005-1VFG256I
Microsemi Corporation
ICE40LM1K-SWG25TR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX150DF27C7N
Intel
5SGXEA4K1F40C1N
Intel
LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40E2LG
Intel
EP2AGX45DF29I3N
Intel