itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / TK8A60DA(STA4,Q,M)
Gyártási szám | TK8A60DA(STA4,Q,M) |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-TK8A60DA(STA4,Q,M) |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | π-MOSVII |
TK8A60DA(STA4,Q,M) Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 45W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220SIS |
Csomag / eset | TO-220-3 Full Pack |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK8A60DA(STA4,Q,M) Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | TK8A60DA(STA4,Q,M)-FT |
TK40E06N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK34E10N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK22E10N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK40E10N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK72E08N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK30E06N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK58E06N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14E65W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel