itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SQS401ENW-T1_GE3
Gyártási szám | SQS401ENW-T1_GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SQS401ENW-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQS401ENW-T1_GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 21.2nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1875pF @ 20V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 62.5W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® 1212-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® 1212-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQS401ENW-T1_GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SQS401ENW-T1_GE3-FT |
SIE820DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE822DF-T1-E3
Vishay Siliconix
SIE822DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE830DF-T1-E3
Vishay Siliconix
SIE830DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE832DF-T1-E3
Vishay Siliconix
SIE832DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE836DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE868DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE802DF-T1-E3
Vishay Siliconix
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel