itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIE868DF-T1-GE3
Gyártási szám | SIE868DF-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIE868DF-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIE868DF-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 6100pF @ 20V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 10-PolarPAK® (L) |
Csomag / eset | 10-PolarPAK® (L) |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIE868DF-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIE868DF-T1-GE3-FT |
BUK9GTHP-55PJTR,51
Nexperia USA Inc.
SQV120N06-4M7L_GE3
Vishay Siliconix
SQV120N10-3M8_GE3
Vishay Siliconix
ZXMP2120FFTA
Diodes Incorporated
ZXMN0545FFTA
Diodes Incorporated
SIA817EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA813DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA810DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA810DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA811ADJ-T1-GE3
Vishay Siliconix