itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SQM110P04-04L-GE3
Gyártási szám | SQM110P04-04L-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SQM110P04-04L-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SQM110P04-04L-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 13980pF @ 20V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 375W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | TO-263 (D2Pak) |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQM110P04-04L-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SQM110P04-04L-GE3-FT |
SIR112DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR168DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR172DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR330DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR401DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR403EDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR406DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR408DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR412DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR414DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation