itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIR412DP-T1-GE3
Gyártási szám | SIR412DP-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIR412DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIR412DP-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SO-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® SO-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR412DP-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIR412DP-T1-GE3-FT |
SI7382DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7382DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7384DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7384DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7386DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7386DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7388DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7388DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7390DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7392ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel